S
sgunupuri01
Guest
Witam wszystkich, może ktoś mi powiedział, co jest najlepszą wartością pokrywy mogą być uzyskane przez mama nakrętki na um kwadratowych [ / b]. z góry dzięki
E
erikl
Guest
[Quote = sgunupuri01] może ktoś mi powiedział, co jest najlepszą wartością pokrywy mogą być uzyskane przez mama nakrętki na [um m² / i ] . [/Quote] C = (ε0 er * 1 um ²) / t_iso Dla 0.18μm procesu, np. er ≈ 7; t_iso ≈ 300nm; ==> C / okolicy ≈ 0,2 FF / mikrometrów ² czapki Gate kumulacji tlenku osiągnięcia ≈ ² 3fF/μm w tym procesie tech.
T
timof
Guest
[Quote = sgunupuri01] Witam wszystkich, może ktoś mi powiedział, co jest najlepszą wartością pokrywy mogą być uzyskane przez mama nakrętki na um m² . z góry dzięki [/quote] Dla technologii 90nm i poniżej, gęstość pojemność kondensatorów MOM może być tak wysoka jak 2 fF/um2. (IBM zgłosił wartości 1.73-1.76 fF/um2 w licznych dokumentach, i to jest prawdopodobnie wyższa w nowoczesne technologie). Zgodnie z UMC, MOM kondensator gęstość przekracza kondensatory MIM ("65-nm wysokiej częstotliwości Low-Noise-Based RF CMOS SoC Technology", Yang, D.; Ding, Y.; Huang, S.; IEEE Transactions on urządzeń elektronicznych, Volume 57, Issue 1, styczeń 2010 Page (s): 328 - 335). Pojemność jest znacznie wyższa niż kwota uzyskana przez Erica od wielu warstw metalu są wykorzystywane do MOM kondensator, a odległości pomiędzy węzłami metali w zaawansowane są znacznie mniejsze (~ 0.1um), zarówno pionowe i poprzeczne pole elektryczne strumienie mogą być stosowane (choć dielektrycznej stałych jest niższa niż 7,0 - to ~ 3.9 do SiO2 i 2.5-2.9 w nowoczesnych niskoemisyjnych technologii BEOL-K).
D
deepak242003
Guest
E
erikl
Guest
[Quote = deepak242003] ... wątpię, czy to uwzględnia boczne (obramowanie pojemności) również ???..[/quote] Masz rację, to obejmuje tylko obszar zależny pojemności. [Quote = deepak242003] Czy jest jakaś metoda oszacowania pojemności tkaniny lub grzebień jak (między palcami) ..???:?::?:[/ cytatem struktury PDK] dokumenty zazwyczaj stwierdza danych obramowanie też seg TSMC 0.18 μ parametrów elektrycznych poniżej (opublikowane przez MOSIS).
D
deepak242003
Guest
musimy dodać do nakładania skraju pojemność pojemność, aby uzyskać łączną kwotę ..? nyways thx erik dużo .... 
E
erikl
Guest
[Quote = deepak242003] musimy dodać pojemność skraju pokrywają się? [/Quote] Oczywiście, jeśli potrzebujesz bardzo dokładnych ekstrakcji. A to zależy także od wkładu obramowanie WPR łączną kwotę: array kapelusza lub palcami struktur przyczynić się proporcjonalnie więcej obramowanie WPR łączną kwotę ponad (single) czapki bloku. Jeśli obramowanie wkład WPR jest bardziej niż - powiedzmy - 0,1%, należy wziąć pod uwagę jego wkład w przypadku 10-bitowego konwertera, bo inaczej korek pasujące nieścisłości nie pojawi się i będzie prawdopodobnie nie uznania ograniczenia spowodowane tym ENOB .
T
timof
Guest
Zwróć uwagę, że oddzielenie całkowita pojemność w okolicy i pobocznych (i co tam jeszcze) części nie jest rygorystyczny sposób obliczania pojemności. To jest po prostu wygodne zbliżenia, co pozwala na oszacowanie pojemności. Nie bierze pod uwagę środowisko kondensator, inne efekty drugorzędne (np. obecność rogów w układzie, lub skomplikowane kształty), a więc jego dokładność to chyba nie jest lepiej niż kilka procent (lub gorzej). Dokładne obliczenia pojemności (z dokładnością lepszą niż kilka procent) wymaga rozwiązania równania Laplace'a i integracji pola elektrycznego lub opłat, w ogólnym przypadku nie da się sensownie rozdzielić całkowitą pojemność do częściowego elementów.