zera Vt NMOS dla obecnych ogon

S

surianova

Guest
hi all!

to jest dobre do stosowania zerowej Vt NMOS za ogon obecnych na opamp?ponieważ ogon bieżących będzie umywalka 10 mA, jeśli używać zwykłych tranzystorów, rozmiar będzie duży, każdy problem w przypadku korzystania z zerowej Vt tranzystora do ogona obecnych?

dzięki

 
Co to jest ur impedancja wyjścia z obecnego źródła i wykorzystania przy zerowej Vt tranzystorów ...???

Może to być problem ....

 
Myślę, że problem polega na tym, że zero tranzystory Vt cierpią biedne dopasowania.

 
sutapanaki napisał:

Myślę, że problem polega na tym, że zero tranzystory Vt cierpią biedne dopasowania.
 
Nie mam jasnego wyjaśnienia w tej sprawie.To jest właśnie to, co ja pamiętam z
ok. 10 lat temu, kiedy używane do pracy z tego rodzaju tranzystorów.Następnie zostali poinformowani, aby nie wykorzystywać ich w bieżącym lusterka z powodu złych pasujące.Ale ja nie uruchomić Monte Carlo na wszystkich w tym czasie.That's why I pobiegł szybko się do TSMC technologii.Mam parę rodzimych tranzystory (Vt =- 0,1) i parę 1.8v normalnej NMOST (Vt = 0,55).Wszystkie tranzystory są o tym samym obszarze (WxL) i tym samym drenażu aktualne.A 100 Monte Carlo biegnie pokazują, że deltaVth dla zero_Vt tranzystorów ma sigma z 1.16mV natomiast dla sigma delta V do regularnej tranzystorów jest 2.75mV.Więc oczywiście to, co powiedziałem wcześniej, nie jest słuszna, zero Vt tranzystory mają lepsze dopasowanie.
Jest to jednak wciąż trudno budować lusterka z nimi.Powód jest następujący: Jeżeli próg ten wynosi -0,1 (lub nawet 0V), który oznacza, że jeśli źródło lub drenażu są wyższe niż 0.1v bramy napięcia kanał jest po obu stronach.Potrzebny będzie do drenażu na przykład być wyższa niż 0.1v porównaniu do bramy, aby zawiesić tranzystora w szczypta startu
tzn. nasycenia.Jeśli łączysz native tranzystora jak diody czyli bramy i drenażu shorted wraz wówczas Vgd = 0 nie jest wystarczający, aby wyłączyć kanał szczypta na stronie i drenażu w rzeczywistości podłączone diody tranzystor będzie triode.Jeśli więc budować bieżących lustro ten sposób kapitan strony jest w triode, niewolnikami strona jest ostatecznie w nasycenie i masz duże niedopasowanie w prądów.
Ale jeśli próg jest bardzo negatywne, można budować na podstawie aktualnego źródła, po prostu przy użyciu jednego tranzystora i podłączyć brama sourse (Vgs = 0) i po prostu zabezpieczyć drenażu wynosi co najmniej 0,2-0.3v nad ziemią.Albo nie łączyć bramą do drenażu bezpośrednio, ale poprzez adherent, podobne do betta-pomocnika w bjt lusterka.
Ostatnio edytowane przez sutapanaki na 17 maja 2008 6:56, edited 1 raz w sumie

 
Myślę, że jeśli planują zbudować IC jeden dzień, o wyczerpaniu trybu tranzystora wraz z resztą obwodu nie jest opłacalne.Próbują zbudować cały układ przy użyciu jednej technologii.

Wiwaty

 
No cóż, w rodzimej tranzystorów CMOS pochodzą prawie za darmo.Jest to dokonywane przez pomijając kroki w procesie - a mianowicie nie robią progu dostosować - za to, co wiem.Innymi słowy nie ma wpływu na koszty.

 
sutapanaki napisał:

Nie mam jasnego wyjaśnienia w tej sprawie.
To jest właśnie to, co ja pamiętam z ok. 10 lat temu, kiedy używane do pracy z tego rodzaju tranzystorów.
Następnie zostali poinformowani, aby nie wykorzystywać ich w bieżącym lusterka z powodu złych pasujące.
Ale ja nie uruchomić Monte Carlo na wszystkich w tym czasie.
That's why I pobiegł szybko się do TSMC technologii.
Mam parę rodzimych tranzystory (Vt =- 0,1) i parę 1.8v normalnej NMOST (Vt = 0,55).
Wszystkie tranzystory są o tym samym obszarze (WxL) i tym samym drenażu aktualne.
A 100 Monte Carlo biegnie pokazują, że deltaVth dla zero_Vt tranzystorów ma sigma z 1.16mV natomiast dla sigma delta V do regularnej tranzystorów jest 2.75mV.
Więc oczywiście to, co powiedziałem wcześniej, nie jest słuszna, zero Vt tranzystory mają lepsze dopasowanie.

Jest to jednak wciąż trudno budować lusterka z nimi.
Powód jest następujący: Jeżeli próg ten wynosi -0,1 (lub nawet 0V), który oznacza, że jeśli źródło lub drenażu są wyższe niż 0.1v bramy napięcia kanał jest po obu stronach.
Potrzebny będzie do drenażu na przykład być wyższa niż 0.1v porównaniu do bramy, aby zawiesić tranzystora w szczypta startu tzn. nasycenia.
Jeśli łączysz native tranzystora jak diody czyli bramy i drenażu shorted wraz wówczas Vgd = 0 nie jest wystarczający, aby wyłączyć kanał szczypta na stronie i drenażu w rzeczywistości podłączone diody tranzystor będzie triode.
Jeśli więc budować bieżących lustro ten sposób kapitan strony jest w triode, niewolnikami strona jest ostatecznie w nasycenie i masz duże niedopasowanie w prądów.

Ale jeśli próg jest bardzo negatywne, można budować na podstawie aktualnego źródła, po prostu przy użyciu jednego tranzystora i podłączyć brama sourse (Vgs = 0) i po prostu zabezpieczyć drenażu wynosi co najmniej 0,2-0.3v nad ziemią.
Albo nie łączyć bramą do drenażu bezpośrednio, ale poprzez adherent, podobne do betta-pomocnika w bjt lusterka.
 
Nie całkiem rozumiem co masz na myśli, używając go w opinii.
Może być najlepszym sposobem na wykorzystanie jest jako urządzenie cascode lub uczeń z powodu małej Vgs potrzebne.W mojej technologii min długość jest rzeczywiście bardzo wysokie i dlatego tranzystor nie jest dobra dla szybkich aplikacji.Najlepszym stosowania jest prawdopodobnie w regulacyjnych.Ponieważ był to również dobry dopasowania można używać również w parach cowane pod warunkiem wystarczająco drenażu napięcie jest po to, aby zachować tranzystora w nasycenie.

 
sutapanaki napisał:

Nie całkiem rozumiem co masz na myśli, używając go w opinii.

Może być najlepszym sposobem na wykorzystanie jest jako urządzenie cascode lub uczeń z powodu małej Vgs potrzebne.
W mojej technologii min długość jest rzeczywiście bardzo wysokie i dlatego tranzystor nie jest dobra dla szybkich aplikacji.
Najlepszym stosowania jest prawdopodobnie w regulacyjnych.
Ponieważ był to również dobry dopasowania można używać również w parach cowane pod warunkiem wystarczająco drenażu napięcie jest po to, aby zachować tranzystora w nasycenie.
 
Dla TN4 I
don't see anything wromg ile opamp dźwigów bramy tak dużo, że stanie się ona wyższa niż drenażu.Jednak widzę, że po drugiej stronie TN331 jest podłączone diody i jest prawdopodobnie nie nasycenia - Pamiętam dyskusję kilka postów temu?

 
You must log in or register to reply here.

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top