na zmiany napięcia progowe

[shiva_vlsi]

Cześć
Czy jedno wyjaśnienie moich wątpliwości .....

1) Czy możliwe jest wykorzystanie różnych tranzystorów MOS progu napięcia w jeden wzór, to znaczy na przykład rozważyć CMOS pełny dodatek może używać PMOS tranzystorów o różnych tj. Vthp, Vthp1 =- 0.65V, Vthp2 =- 0.5V tranzystory NMOS z różnych tj. Vthn, Vthn1 =- 0.45v, Vthn2 =- 0.45v.
Czy dopuszczalne jest, albo jest jakaś reguła, że wszystkie urządzenia PMOS w projektowaniu shud mają same VHP NMOS i wszystkich urządzeń w projekcie shud mają same Vhn.2) Generalnie w projekty krytycznych transitors ścieżka ma duże gabaryty i niski V, aby zminimalizować opóźnienie ścieżki krytycznej.
Potem Jak zmienić V tych krytycznych transistors.Can ścieżki możemy zmienić ręcznie w parametrach SPICE.
Jak zaprojektować zmienny próg (z dynamicznego generowania stronniczości ciała) obwodu.Dzięki

 

[eternal_nan]

Najnowsze oferty procesów wyboru 2 lub 3 próg napięcia w tym procesie.Zostały one określone w poszczególnych wartości.Nie można na pewno ręcznie zmodyfikować parametry napięcie progowe w modelach przyprawy.

 

[madhavisai]

Wybierz narzędzie do optymalizacji globalnej, takich jak RTL kompilator wtedy będzie miejsce niskie vt komórkę ścieżki krytyczne i wysokiej vt komórek niekrytycznych ścieżki optymalizacji uzyskanie mocy i powierzchni