MOSFET

[Fedrus]

Witaj,

Używam tego układu na dysku obciążenia, które mogą trwać do 5 ~ 250mA.
I tried it out and it seems to work fine.W zależności od obciążenia i uszczypnąć uzyskać OpAmp uzyskania pożądanych reakcji.

Wszelkie sugestie, jeśli można go poprawić?

Wiwaty
Przepraszamy, ale musisz się zalogować, aby wyświetlić ten załącznik

 

[rvionics]

Twoje mosfet źródłowy będzie allways pozostać na potencjalne = 28V progu Bramy FET - spadek w całej 1E w zależności od prądu obciążenia.

Z kolei swoje obciążenia nigdy nie patrz 28V.- Jeśli aplikacja / load przyznaje, że nie ma problemu jeszcze nie będzie wystarczająca do prowadzenia napięcie obciążenia

 

[Fedrus]

Hi Rvionics,

Dziękujemy za odpowiedź.I dont pomyśleć, że będzie dla mnie problemem, więc myślę system jest OK.
Jak powiedział, że działa poprawnie.Chciałam wiedzieć, czy są jakieś pułapki czyhające.

 

[rvionics]

jedną propozycję: użyj Wrota Source dioda ZENNER bo gdy obciążenie zostanie zwarty wtedy napięcie Napęd na bramie fet z Op-Amp może przekraczać 20V thrshld bramy i może spowodować uszkodzenie MOSFET.

 

[FVM]

Zastanawiam się, dlaczego opinia nie jest wyjście z zwolennik źródła, które wyeliminują nieliniowość i 1/gm impedancja wyjściowa?Silniejsze i bardziej rozbudowany odszkodowania nie będzie konieczne, oczywiście.

Jak powiedział, UGS musi ograniczać się do ochrony MOSFET.Z-dioda i rezystor ograniczenia obecnego zrobi, zwykle.

 

[Fedrus]

Witaj,

Dzięki za odpowiedzi.Czy powołując się na coś takiego?
Rzeczywiście opinia jest od wielkości fizycznej, które jest controlled.Its rodzaju sprzętu do badań dla elektrochemii.
I może również dostosować tak, aby uzyskać UGS nigdy nie przekroczy maksymalnej wartości zestawu.
Czy to dobrze działa?
Nie wiem dlaczego dwa pliki ale w załączeniu.Jego samego.
Przepraszamy, ale musisz się zalogować, aby wyświetlić ten załącznik

 

[FVM]

UGS wartości, które powinny być ograniczone.<img src="http://images.elektroda.net/46_1218406291_thumb.jpg" border="0" alt="MOSFET drive" title="Dysk MOSFET"/>

 

[rvionics]

Jak sugeruje Pan FVM jest to dobry pomysł, aby mieć f / b ze źródła, jak pokazano na rys. jego.również bramą do rezystor źródłowy powinien być jak wynika z tego obwodu.