W
wizardyhnr
Guest
Ostatnio jestem projektowania LNA się z trzech etapów w procesie BiCMOS SiGe. Chcę 1dB punkt wyjścia kompresji 10dBm lub wyższe dla trzeciego etapu LNA. Mam zestaw zbierać prąd 12mA Ic, ale muszę zdobyć punkt 1dB kompresji 8.5dBm, który jest niższy niż współczynnik dobroci. Czy ktoś ma jakieś rady jak poprawić 1dB punkt kompresji tego LNA?