J
jimway
Guest
Could I / O tranzystor być wykorzystywane do budowania obwodów?Jaka jest różnica pomiędzy I / O i tranzystor analogowego.
Navigation
Install the app
How to install the app on iOS
Follow along with the video below to see how to install our site as a web app on your home screen.
Note: This feature may not be available in some browsers.
More options
You are using an out of date browser. It may not display this or other websites correctly.
You should upgrade or use an alternative browser.
You should upgrade or use an alternative browser.
J
jfyan
Guest
jimway napisał:
Could I / O tranzystor być wykorzystywane do budowania obwodów?
Jaka jest różnica pomiędzy I / O i tranzystor analogowego.
Could I / O tranzystor być wykorzystywane do budowania obwodów?
Jaka jest różnica pomiędzy I / O i tranzystor analogowego.
J
jimway
Guest
I havn't umieścić go wyraźnie.
Poniższe uwagi zostały przedstawione w bsim model sprawy:
Wskazówki: Pomiary parametrów i wyposażenia w zakresie napięcia:
*
* | Szafy | = 0 ...2,5 ( 10%) v: tryb analogowy
* | Szafy | = 0 ...3,3 ( 10%) V: Tryb IO
* | Vgs | = 0 ...2,5 ( 10%) v: tryb analogowy
* | Vgs | = 0 ...3,3 ( 10%) V: Tryb IO
* | Vbs | = 0 ...2,2 v
Accually te dwa tryby są używane do opisu samej MOSFET.
Czy ten tranzystor w celu osiągnięcia obwodów z 3.3V napięcia?
Poniższe uwagi zostały przedstawione w bsim model sprawy:
Wskazówki: Pomiary parametrów i wyposażenia w zakresie napięcia:
*
* | Szafy | = 0 ...2,5 ( 10%) v: tryb analogowy
* | Szafy | = 0 ...3,3 ( 10%) V: Tryb IO
* | Vgs | = 0 ...2,5 ( 10%) v: tryb analogowy
* | Vgs | = 0 ...3,3 ( 10%) V: Tryb IO
* | Vbs | = 0 ...2,2 v
Accually te dwa tryby są używane do opisu samej MOSFET.
Czy ten tranzystor w celu osiągnięcia obwodów z 3.3V napięcia?
T
tekno1
Guest
jfyan to odpowiedź jest prawidłowa.Normaly jest grubszy tlenek bramy urządzenia I / O, ponieważ widzą 3.3V [i tu I / O może również oznaczać analogowe I / O oraz cyfrowe I / O].
W twoim przypadku, ponieważ typowe i Vgs jest określony dla tego samego tranzystora mogę jedynie zasugerować, że gdy mówią analogowe one oznaczają tranzystory są głównie w regionie nasycenia [typowe> = (Ic-VT)], gdzie czas życia tranzystorów krótszy ze względu na wysokie pola między wpływ Odsączyć i Źródła i degradacji w wyniku jonizacji.I / O (tutaj oznacza cyfrowych I / O) tranzystory są wykorzystywane jako przełączniki i przechodzi przez region nasycenia bardzo krótkim czasie przełączania (niskie cyklu pracy) więc czas życia skraca znacznie mniej tranzystorów i tranzystory mogą być stosowane w wyższych 3.3V rozsądnym czasie życia (pod warunkiem, że podział bramy pozwala mu działać 3.3V).
W twoim przypadku, ponieważ typowe i Vgs jest określony dla tego samego tranzystora mogę jedynie zasugerować, że gdy mówią analogowe one oznaczają tranzystory są głównie w regionie nasycenia [typowe> = (Ic-VT)], gdzie czas życia tranzystorów krótszy ze względu na wysokie pola między wpływ Odsączyć i Źródła i degradacji w wyniku jonizacji.I / O (tutaj oznacza cyfrowych I / O) tranzystory są wykorzystywane jako przełączniki i przechodzi przez region nasycenia bardzo krótkim czasie przełączania (niskie cyklu pracy) więc czas życia skraca znacznie mniej tranzystorów i tranzystory mogą być stosowane w wyższych 3.3V rozsądnym czasie życia (pod warunkiem, że podział bramy pozwala mu działać 3.3V).
L
laglead
Guest
nie ma różnicy, z wyjątkiem tranzystorów io Potrzebuję Improvment układ
H
hackjiang
Guest
Doskonalenie techniki.
K
Kuo
Guest
I / O tranzystor jest podstawowym I / O dysku zdolności.
Opieki transisor analogowe o GM / wysoki zysk.
Proces Advanced daje wysoki zysk I / O dla tranzystorów projektowania układów analogowych.
Opieki transisor analogowe o GM / wysoki zysk.
Proces Advanced daje wysoki zysk I / O dla tranzystorów projektowania układów analogowych.
W
williamy
Guest
W konstrukcji układu I / O transisitor musi być starannie zaplanowana, aw szczególności w regionie drenażu
J
jeepx5
Guest
Należy różnica ESD!I / O MOS będzie ochrona ESD!
B
bigbro
Guest
Nie ma żadnej różnicy modelu przyprawy.
Ale niektórzy o produkcji piwa IO MOS długość tranzystor na ESD.
Również istnieje wiele różnych zasady projektowania układu strony.
Ale niektórzy o produkcji piwa IO MOS długość tranzystor na ESD.
Również istnieje wiele różnych zasady projektowania układu strony.